MJD44H11T4G, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор MJD44H11T4G onsemi

Партномер (MPN)
MJD44H11T4G
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MJD44H11T4G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

onsemi MJD44H11T4G — мощный биполярный NPN-транзистор в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа. Напряжение коллектор–эмиттер 80 В, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность 20 Вт.

Граничная частота 85 МГц, минимальный коэффициент усиления по току 60. Комплементарная пара — MJD45H11T4, число выводов — два плюс теплоотводящая площадка.

Характеристики

Корпус
TO-252
Структура
NPN
Напряжение К-Э
80 В
Ток коллектора
8 А
Граничная частота
85 МГц
Рассеиваемая мощность
20 Вт
Коэффициент усиления (мин.)
60
Вес
0,500 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор MJD44H11T4G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.