MJD44H11G, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор NPN MJD44H11G onsemi

Партномер (MPN)
MJD44H11G
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
Биполярный транзистор NPN
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MJD44H11G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

MJD44H11G — мощный NPN-транзистор onsemi для поверхностного монтажа в корпусе TO-252. Напряжение коллектор–эмиттер 80 В, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность 20 Вт, напряжение насыщения не более 1 В.

Комплементарная пара — MJD45H11. Невысокое напряжение насыщения означает небольшие потери при работе транзистора в ключевом режиме.

Характеристики

Корпус
TO-252
Структура
NPN
Ток коллектора, А
8
Комплементарная пара
MJD45H11
Напряжение К–Э макс., В
80
Рассеиваемая мощность, Вт
20
Напряжение насыщения К–Э макс., В
1
Вес
0,376 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор NPN MJD44H11G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.