MJD122T4, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор MJD122T4 onsemi

Партномер (MPN)
MJD122T4
Производитель
onsemi
Корпус
TO-252
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы onsemi
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры MJD122T4

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

onsemi MJD122T4 — мощный биполярный транзистор NPN-Дарлингтона в корпусе TO-252 (комплементарная пара — MJD127T4). Напряжение коллектор-эмиттер 100 В, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность 20 Вт.

Граничная частота 4 МГц. Составная структура Дарлингтона обеспечивает минимальный коэффициент усиления по току 1000. Корпус TO-252 — для поверхностного монтажа.

Характеристики

Корпус
TO-252
Структура
NPN, Дарлингтон
Мощность, Вт
20
Ток коллектора, А
8
Комплементарная пара
MJD127T4
Напряжение КЭ макс., В
100
Граничная частота, МГц
4
Вес
0,174 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор MJD122T4 onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.