Биполярный транзистор Дарлингтона NPN MJD122T4G onsemi
- Партномер (MPN)
- MJD122T4G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-252
- Тип
- Биполярный транзистор Дарлингтона NPN
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MJD122T4G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MJD122T4G — мощный биполярный NPN-транзистор Дарлингтона от onsemi в корпусе TO-252. Ток коллектора 8 А, напряжение коллектор–эмиттер 100 В, рассеиваемая мощность 20 Вт.
Минимальный коэффициент усиления по току 1000, граничная частота 4 МГц. Комплементарная пара — MJD127T4. Составная структура даёт высокое усиление по току, поэтому транзистор можно управлять слабым сигналом, например от логической микросхемы.
Характеристики
- Корпус
- TO-252
- Структура
- NPN Дарлингтон
- Ток коллектора, А
- 8
- Комплементарная пара
- MJD127T4
- Граничная частота, МГц
- 4
- Напряжение К–Э макс., В
- 100
- Коэффициент усиления мин.
- 1000
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 20
- Вес
- 0,155 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор Дарлингтона NPN MJD122T4G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.