Биполярный транзистор MJD45H11-1G onsemi
- Партномер (MPN)
- MJD45H11-1G
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-251
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы onsemi
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры MJD45H11-1G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
MJD45H11-1G — мощный p-n-p биполярный транзистор onsemi в корпусе IPAK (TO-251) с короткими выводами для монтажа в отверстия. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 80 В, ток коллектора 8 А, напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более 1 В при токе 8 А.
Температура перехода в рабочем режиме — от −55 до +150 °C. Структура p-n-p, комплементарная n-p-n серии D44H.
Характеристики
- Структура
- PNP
- Ток коллектора макс., А
- 8
- Температура перехода, °C
- −55…+150
- Напряжение насыщения К-Э макс. (8 А), В
- 1
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 80
- Вес
- 0,352 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор MJD45H11-1G onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.